根据国外爆料人MaxWeinbach分享了一批有关S10系列详细配置的消息,供参考:

5.8寸三星GalaxyS10E/Lite:搭载侧面指纹,4+128GB,1200万像素F1.5/2.4可变光圈主摄+1600万像素178度超广角光学防抖镜头;

6.1寸的三星GalaxyS10:搭载屏内超声波指纹、6+128GB/6+256GB,1200万像素F1.5/2.4可变光圈主摄+1600万像素178度超广角光学防抖镜头;

6.4寸三星GalaxyS10+:搭载屏内超声波指纹,6+128GB/6+256GB/8+512GB,1200万像素F1.5/2.4可变光圈主摄+1600万像素178度超广角光学防抖镜头+1300万像素长焦镜头;

更为重要的是,来自国外爆料人Samsung_News_的消息,他听闻三星GalaxyS10将搭载LPDDR5

RAM。值得一提是,去年夏天,三星宣布开发出首款LPDDR5-6400内存晶片,基于10nm级(10nm~20nm)工艺,单晶片容量8Gb。除了速度的提升,LPDDR5内存晶片相较LPDDR4X,功耗还减少了30%,可以说十分优秀。

不过,这份爆料需要谨慎看待,因为去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上,三星人士透露,LPDDR5内存计划2020年商用,只是当时倒是说,UFS3.0快闪记忆体会在今年上半年商用,首批解决方案涵盖供128GB、256GB和512GB三种容量,最大数据传输速率为2000MB/s。

根据数码博主i冰宇宙的爆料,UFS3.0快闪记忆体的AndroBench跑分现已曝光,顺序读取速度达到了2279.9MB/s,顺序写入速度达到了1801.1MB/s,达到了目前优质NVMe固态的速度。

具体如下图:

据i冰宇宙微博面熟,这是一块1TB版本的UFS3.0快闪记忆体,读取速度达到了2279.9MB/s,顺序写入速度达到了1801.1MB/s,随机读取146.4MB/s,随机写入137.5MB/s。

UFS3.0对比上一代的UFS2.1不仅带宽更高,电压也相较UFS2.1更低,最大限度降低设备功耗与发热。UFS3.0标准单通道上可达到11.6Gbps,是UFS2.1标准的两倍,而双通道设计可以最高达到23.2Gbps的传输带宽,UFS

3.0的工作电压为2.5V,相较上一代2.7V到3.6V更低。

不出意外的话,三星将于明年2月在MWC2019前后正式发布开年旗舰GalaxyS10系列机型,国外知名爆料大神@evleaks在推特上送出了GalaxyS10的真机外形谍照。

GalaxyS10系列将搭载高通新一代旗舰处理器骁龙855晶片,该晶片基于7nm工艺打造,频率或突破3GHz,同时也将提供Exynos版本,后置竖排三摄,5.8英寸曲屏版和6.44英寸曲屏版将搭载超声波屏幕指纹识别,由总部位于台湾的供应商GIS和欧菲光将承担,运行基于Android9Pie的更加精简的OneUI界面。

除三款标准版外,有消息称三星计划推出GalaxyS105G版本,也被称为Galaxy10周年特别版,屏幕升级为6.7英寸,前置双摄像头,后置四摄像头,配备高达12GB内存和1TB存储,这也将是该系列中最昂贵的一款。

更为重要的是,三星S10系列将搭载的Exynos9820处理器已经能够支持UFS3.0快闪记忆体,骁龙855大概率也会支持,因为同期推出的骁龙8cx(面向PC平台)就支持UFS3.0快闪记忆体。

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